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IXFB30N120P
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Artikelnummer
IXFB30N120P
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Gerätepaket des Lieferanten
PLUS264™
Verlustleistung (max.)
1250W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
310nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
22500pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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