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IXFA4N85X
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263
Artikelnummer
IXFA4N85X
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
TO-263 (IXFA)
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
850V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
247pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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