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IXFA38N30X3
FET N-CHANNEL
Artikelnummer
IXFA38N30X3
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
TO-263
Verlustleistung (max.)
240W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
300V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2240pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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