Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFA18N60X
MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA
Artikelnummer
IXFA18N60X
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
TO-263AA
Verlustleistung (max.)
320W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1440pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 51495 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IXFA18N60X
IXFA18N60X Elektronische Komponenten
IXFA18N60X Verkäufe
IXFA18N60X Anbieter
IXFA18N60X Verteiler
IXFA18N60X Datentabelle
IXFA18N60X Fotos
IXFA18N60X Preis
IXFA18N60X Angebot
IXFA18N60X Geringster Preis
IXFA18N60X Suchen
IXFA18N60X Einkauf
IXFA18N60X Chip