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IXFA180N10T2

MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

Artikelnummer

IXFA180N10T2

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

TO-263 (IXFA)

Verlustleistung (max.)

480W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

180A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

185nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

10500pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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