Kaufen IXYS IXFA130N10T2 MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

IXFA130N10T2

MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA

Artikelnummer

IXFA130N10T2

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

TO-263 (IXFA)

Verlustleistung (max.)

360W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

130A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1 mOhm @ 65A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

6600pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 49261 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

IXFA102N15T

MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK