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IXDN602SI
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Artikelnummer
IXDN602SI
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Eingabetyp
Non-Inverting
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten
8-SOIC-EP
Spannungsversorgung
4.5 V ~ 35 V
Kanaltyp
Independent
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Anzahl der Fahrer
2
Tortyp
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logikspannung – VIL, VIH
0.8V, 3V
Strom – Spitzenausgang (Quelle, Senke)
2A, 2A
High-Side-Spannung – Max (Bootstrap)
-
Anstiegs-/Abfallzeit (Typ)
7.5ns, 6.5ns
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