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SPP17N80C3XKSA1

MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB

Artikelnummer

SPP17N80C3XKSA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO220-3-1

Verlustleistung (max.)

208W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

17A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

177nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2320pF @ 25V

Vgs (Max)

±20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

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