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SPI15N65C3HKSA1

MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3

Artikelnummer

SPI15N65C3HKSA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO262-3-1

Verlustleistung (max.)

156W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280 mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 675µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1600pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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