Kaufen Infineon Technologies SPI11N60CFDHKSA1 MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

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SPI11N60CFDHKSA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

Artikelnummer

SPI11N60CFDHKSA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO262-3-1

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

440 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 500µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1200pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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