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IRLS3036PBF

MOSFET N-CH 60V 195A D2-PAK

Artikelnummer

IRLS3036PBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Discontinued at Digi-Key

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D2PAK

Verlustleistung (max.)

380W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

195A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 165A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

11210pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±16V

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