Kaufen Infineon Technologies IRLR120NTRPBF MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

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Datenblätter

IRLR120NTRPBF

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Artikelnummer

IRLR120NTRPBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

D-Pak

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

185 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

440pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4V, 10V

Vgs (Max)

±16V

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