Kaufen Infineon Technologies IRLMS2002GTRPBF MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP

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Datenblätter

IRLMS2002GTRPBF

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP

Artikelnummer

IRLMS2002GTRPBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-23-6

Gerätepaket des Lieferanten

Micro6™(SOT23-6)

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

6.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1310pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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