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IRLL024NTRPBF

MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

Artikelnummer

IRLL024NTRPBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-261-4, TO-261AA

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-223

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

15.6nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

510pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4V, 10V

Vgs (Max)

±16V

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