Kaufen Infineon Technologies IRLH5036TRPBF MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN

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Datenblätter

IRLH5036TRPBF

MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN

Artikelnummer

IRLH5036TRPBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerVDFN

Gerätepaket des Lieferanten

PQFN (5x6)

Verlustleistung (max.)

3.6W (Ta), 160W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

20A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 150µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

5360pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±16V

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