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IRFU1018EPBF
MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK
Artikelnummer
IRFU1018EPBF
Hersteller/Marke
Serie
HEXFET®
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket des Lieferanten
IPAK (TO-251)
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2290pF @ 50V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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