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IRFSL4310PBF
MOSFET N-CH 100V 130A TO-262
Artikelnummer
IRFSL4310PBF
Hersteller/Marke
Serie
HEXFET®
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-262
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
7670pF @ 50V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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