Kaufen Infineon Technologies IRFB61N15DPBF MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

IRFB61N15DPBF

MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB

Artikelnummer

IRFB61N15DPBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220AB

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta), 330W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3470pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 24546 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

IRFB11N50A

MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB