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IRFB59N10DPBF
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
Artikelnummer
IRFB59N10DPBF
Hersteller/Marke
Serie
HEXFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220AB
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
114nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2450pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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