Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IRFB42N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
Artikelnummer
IRFB42N20DPBF
Hersteller/Marke
Serie
HEXFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220AB
Verlustleistung (max.)
2.4W (Ta), 330W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
3430pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 53857 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IRFB42N20DPBF
IRFB42N20DPBF Elektronische Komponenten
IRFB42N20DPBF Verkäufe
IRFB42N20DPBF Anbieter
IRFB42N20DPBF Verteiler
IRFB42N20DPBF Datentabelle
IRFB42N20DPBF Fotos
IRFB42N20DPBF Preis
IRFB42N20DPBF Angebot
IRFB42N20DPBF Geringster Preis
IRFB42N20DPBF Suchen
IRFB42N20DPBF Einkauf
IRFB42N20DPBF Chip