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IRF9393PBF

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO

Artikelnummer

IRF9393PBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Discontinued at Digi-Key

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

9.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.3 mOhm @ 9.2A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1110pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V, 20V

Vgs (Max)

±25V

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