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IRF9389PBF

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO

Artikelnummer

IRF9389PBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Discontinued at Digi-Key

Verpackung

Tube

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

6.8A, 4.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 10µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

398pF @ 15V

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