Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IRF5305LPBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
Artikelnummer
IRF5305LPBF
Hersteller/Marke
Serie
HEXFET®
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-262
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1200pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 38243 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IRF5305LPBF
IRF5305LPBF Elektronische Komponenten
IRF5305LPBF Verkäufe
IRF5305LPBF Anbieter
IRF5305LPBF Verteiler
IRF5305LPBF Datentabelle
IRF5305LPBF Fotos
IRF5305LPBF Preis
IRF5305LPBF Angebot
IRF5305LPBF Geringster Preis
IRF5305LPBF Suchen
IRF5305LPBF Einkauf
IRF5305LPBF Chip