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IRF3805L-7PPBF

MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7

Artikelnummer

IRF3805L-7PPBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Gerätepaket des Lieferanten

D2PAK (7-Lead)

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

160A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 140A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

7820pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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