Kaufen Infineon Technologies IPW65R110CFDFKSA1 MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

IPW65R110CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

Artikelnummer

IPW65R110CFDFKSA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO247-3

Verlustleistung (max.)

277.8W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

31.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.3mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

118nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3240pF @ 100V

Vgs (Max)

±20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 46038 PCS

Kontaktinformationen