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IPP80N06S2H5AKSA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Artikelnummer

IPP80N06S2H5AKSA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Discontinued at Digi-Key

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO220-3-1

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 230µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

155nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4400pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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