Kaufen Infineon Technologies IPP65R095C7XKSA1 MOSFET N-CH 650V TO-220-3

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

IPP65R095C7XKSA1

MOSFET N-CH 650V TO-220-3

Artikelnummer

IPP65R095C7XKSA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C7

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO-220-3

Verlustleistung (max.)

128W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

24A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95 mOhm @ 11.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 590µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2140pF @ 400V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 8662 PCS

Kontaktinformationen