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IPP65R095C7XKSA1

IPP65R095C7XKSA1

MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Artikelnummer
IPP65R095C7XKSA1
Hersteller/Marke
Serie
CoolMOS™ C7
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
PG-TO-220-3
Verlustleistung (max.)
128W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 590µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2140pF @ 400V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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