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IPP60R125CPXKSA1

IPP60R125CPXKSA1

MOSFET N-CH 650V 25A TO-220
Artikelnummer
IPP60R125CPXKSA1
Hersteller/Marke
Serie
CoolMOS™
Teilestatus
Not For New Designs
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
PG-TO-220-3
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2500pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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