Kaufen Infineon Technologies IPI80P03P405AKSA1 MOSFET P-CH TO262-3

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

IPI80P03P405AKSA1

MOSFET P-CH TO262-3

Artikelnummer

IPI80P03P405AKSA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO262-3-1

Verlustleistung (max.)

137W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 253µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

10300pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 29874 PCS

Kontaktinformationen