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IPI075N15N3GXKSA1

MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3

Artikelnummer

IPI075N15N3GXKSA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO262-3

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 270µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

5470pF @ 75V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

8V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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