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IPG20N10S4L35ATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Artikelnummer

IPG20N10S4L35ATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerVDFN

Leistung max

43W

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TDSON-8-4

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 16µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

17.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1105pF @ 25V

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