IPD95R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 4A TO252
Artikelnummer
IPD95R2K0P7ATMA1
Hersteller/Marke
Serie
CoolMOS™ P7
Teilestatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
PG-TO252-3
Verlustleistung (max.)
37W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
950V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 80µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
330pF @ 400V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
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