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IPD60R650CEBTMA1

MOSFET N-CH 600V 7A TO252

Artikelnummer

IPD60R650CEBTMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

Teilestatus

Discontinued at Digi-Key

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO252-3

Verlustleistung (max.)

82W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 200µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

20.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

440pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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