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IPD30N06S215ATMA2

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Artikelnummer

IPD30N06S215ATMA2

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO252-3-11

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.7 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 80µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1485pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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