IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH TO263-3
Artikelnummer
IPB65R065C7ATMA2
Hersteller/Marke
Serie
CoolMOS™ C7
Teilestatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
PG-TO263-3
Verlustleistung (max.)
171W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
3020pF @ 400V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
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