Kaufen Infineon Technologies IPB60R190C6ATMA1 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263

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Datenblätter

IPB60R190C6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263

Artikelnummer

IPB60R190C6ATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Teilestatus

Not For New Designs

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D²PAK (TO-263AB)

Verlustleistung (max.)

151W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

20.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 630µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1400pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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