Kaufen Infineon Technologies BSO615CT MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

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Datenblätter

BSO615CT

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Artikelnummer

BSO615CT

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

Gerätepaket des Lieferanten

PG-DSO-8

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.1A, 2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

22.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

380pF @ 25V

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