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AUIRF7343QTR

MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC

Artikelnummer

AUIRF7343QTR

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.7A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

740pF @ 25V

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