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AUIRF7309QTR

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

Artikelnummer

AUIRF7309QTR

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

1.4W

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

520pF @ 15V

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