Kaufen Global Power Technologies Group GP2M012A080NG MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

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GP2M012A080NG

MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Artikelnummer

GP2M012A080NG

Hersteller/Marke

Global Power Technologies Group

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-3P-3, SC-65-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-3PN

Verlustleistung (max.)

416W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

79nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3370pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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