Kaufen Global Power Technologies Group GP2M005A060CG MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

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Datenblätter

GP2M005A060CG

MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

Artikelnummer

GP2M005A060CG

Hersteller/Marke

Global Power Technologies Group

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

D-Pak

Verlustleistung (max.)

98.4W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1 Ohm @ 2.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

658pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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