Kaufen Global Power Technologies Group GP2M002A065PG MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

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GP2M002A065PG

MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Artikelnummer

GP2M002A065PG

Hersteller/Marke

Global Power Technologies Group

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gerätepaket des Lieferanten

I-PAK

Verlustleistung (max.)

52W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

353pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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