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GP1M009A090N
MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
Artikelnummer
GP1M009A090N
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-3PN
Verlustleistung (max.)
312W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2324pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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