Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
GP1M008A050PG
MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
Artikelnummer
GP1M008A050PG
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket des Lieferanten
I-PAK
Verlustleistung (max.)
120W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
937pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 22207 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von GP1M008A050PG
GP1M008A050PG Elektronische Komponenten
GP1M008A050PG Verkäufe
GP1M008A050PG Anbieter
GP1M008A050PG Verteiler
GP1M008A050PG Datentabelle
GP1M008A050PG Fotos
GP1M008A050PG Preis
GP1M008A050PG Angebot
GP1M008A050PG Geringster Preis
GP1M008A050PG Suchen
GP1M008A050PG Einkauf
GP1M008A050PG Chip