Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
GP1M005A050FSH
MOSFET N-CH 500V 4A TO220F
Artikelnummer
GP1M005A050FSH
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220F
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.85 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
602pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 33269 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von GP1M005A050FSH
GP1M005A050FSH Elektronische Komponenten
GP1M005A050FSH Verkäufe
GP1M005A050FSH Anbieter
GP1M005A050FSH Verteiler
GP1M005A050FSH Datentabelle
GP1M005A050FSH Fotos
GP1M005A050FSH Preis
GP1M005A050FSH Angebot
GP1M005A050FSH Geringster Preis
GP1M005A050FSH Suchen
GP1M005A050FSH Einkauf
GP1M005A050FSH Chip