GP1M003A080CH
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Artikelnummer
GP1M003A080CH
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
TO-252, (D-Pak)
Verlustleistung (max.)
94W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
696pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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