Kaufen GeneSiC Semiconductor MURTA40060 DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

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MURTA40060

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Artikelnummer

MURTA40060

Hersteller/Marke

GeneSiC Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Bulk

Befestigungsart

Chassis Mount

Paket/Koffer

Three Tower

Gerätepaket des Lieferanten

Three Tower

Diodentyp

Standard

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 200A

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

25µA @ 600V

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

Betriebstemperatur – Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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