Kaufen GeneSiC Semiconductor MBR60035CT DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER

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MBR60035CT

DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER

Artikelnummer

MBR60035CT

Hersteller/Marke

GeneSiC Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Bulk

Befestigungsart

Chassis Mount

Paket/Koffer

Twin Tower

Gerätepaket des Lieferanten

Twin Tower

Diodentyp

Schottky

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 300A

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

1mA @ 20V

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

300A

Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

Betriebstemperatur – Verbindungsstelle

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