GeneSiC Semiconductor
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KBU8J
Datenblätter

KBU8J

DIODE BRIDGE 600V 8A KBU
Artikelnummer
KBU8J
Hersteller/Marke
GeneSiC Semiconductor
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Bulk
Technologie
Standard
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
4-SIP, KBU
Gerätepaket des Lieferanten
KBU
Diodentyp
Single Phase
Spannung – Spitzenumkehr (max.)
600V
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
8A
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1V @ 8A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
10µA @ 600V
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