Kaufen GeneSiC Semiconductor KBJ410G DIODE BRIDGE 1000V 4A KBJ

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KBJ410G

DIODE BRIDGE 1000V 4A KBJ

Artikelnummer

KBJ410G

Hersteller/Marke

GeneSiC Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Bulk

Technologie

Standard

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

4-SIP, KBJ

Gerätepaket des Lieferanten

KBJ

Diodentyp

Single Phase

Spannung – Spitzenumkehr (max.)

1kV

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

5µA @ 1000V

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